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SQ1421EEH
www.vishay.com
TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
- 60
Vishay Siliconix
- 64
- 68
- 72
- 76
- 80
I D = 1 mA
- 50 - 25
0
25
50
75
100
125
150
175
T J - Junction Temperature ( ° C)
Drain Source Breakdown vs. Junction Temperature
100
10
I D Limited
I DM Limited
100 μ s
Limited by R D S (on) *
1
1 m s
10 m s
0.1
T C = 25 ° C
100 m s
1 s ,10 s , DC
0.01
S ingle Pul s e
BVD SS Limited
0.01
0.1
1
10
100
V D S - Drain-to- S ource Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R D S (on) i s s pecified
Safe Operating Area
S11-2128 Rev. B, 31-Oct-11
5
Document Number: 67057
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